IGBT EVM31-050

Описание IGBT модуля EVM31-050

EVM31-050 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для применения в силовой электронике, включая инверторы, преобразователи частоты, системы управления двигателями и промышленные источники питания. Модуль сочетает высокую эффективность, низкие потери и надежную конструкцию, что делает его подходящим для требовательных применений.

Технические характеристики

• Тип модуля: IGBT с диодом обратного хода (встроенный антипараллельный диод)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): до 50 А (при 25°C)
• Импульсный ток (I_CP): до 100 А
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~1.8 В (типовое)
• Время включения/выключения (t_on/t_off): ~50 нс / ~150 нс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~0.25 °C/W
• Корпус: модуль с изолированным основанием (например, SEMiX или аналогичный)
• Рабочая температура: от -40°C до +150°C

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

В зависимости от производителя и аналогов, модуль EVM31-050 может иметь эквиваленты или замены:

• Infineon: FF50R06RT4, FF50R06KE3
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI50N-060
• SEMIKRON: SKM50GB063D
• ON Semiconductor: NGTB50N60FL2WG

Совместимые модели и применение

Модуль может использоваться в:

• Частотных преобразователях (например, Delta, ABB, Siemens)
• Сварочных инверторах
• Системах управления электродвигателями (в том числе для электромобилей)
• ИБП и источниках питания

Если вам нужны точные данные для конкретного производителя, уточните бренд или datasheet модуля.