IGBT F1892HD1000

IGBT F1892HD1000: Описание и технические характеристики

Описание:
IGBT F1892HD1000 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для использования в высоковольтных и высокочастотных преобразовательных устройствах. Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 189 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 120 А | | Импульсный ток (I_CM) | 378 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (тип.) | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 750 Вт | | Температура перехода (T_j) | -40°C…+150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 °C/Вт | | Время включения (t_on) | 50 нс | | Время выключения (t_off) | 300 нс | | Корпус | TO-264 или аналогичный |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (замены):

• Infineon: FF1892HD1000
• Fuji Electric: 2MBI1892HD-100
• Mitsubishi: CM1892HD-1000
• Semikron: SKM1892GB100D

Совместимые модели (по характеристикам):

• IRG7PH50UD1 (International Rectifier) – 1200V, 150A
• FZ1200R17KF6 (Infineon) – 1200V, 120A (модульный вариант)
• CM1200HG-130A (Mitsubishi) – 1200V, 130A

Примечание:

При замене IGBT F1892HD1000 на аналог важно учитывать:

• Напряжение и токовые характеристики,
• Корпус и схему подключения,
• Тепловые параметры (R_th и P_tot).

Если требуется точная совместимость, рекомендуется проверять datasheet оригинального и заменяемого компонента.

Если нужны дополнительные данные (например, графики зависимостей или параметры драйвера), уточните запрос.