IGBT F2101A

Описание IGBT F2101A

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) F2101A – это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для коммутации высоких токов и напряжений в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики:

• Тип: N-канальный IGBT с защитным диодом
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Максимальный ток коллектора (I_C): 21 А (при 25°C)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot): 100 Вт
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 1,8 В (при I_C = 21 А)
• Время включения (t_on): 50 нс
• Время выключения (t_off): 150 нс
• Температура перехода (T_j): от -55°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (возможны другие варианты в зависимости от производителя)

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги и замены могут отличаться по характеристикам, поэтому перед заменой рекомендуется проверять даташит.

Прямые аналоги:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• H20R1202 (Fairchild/ON Semiconductor)
• FGH40N60SFD (ON Semiconductor)
• STGW40H60DF (STMicroelectronics)
• IXGH40N60B3D1 (IXYS)

Совместимые модели (с проверкой распиновки и характеристик):

• FGA25N120ANTD (Fairchild)
• NGTB40N120FL2WG (ON Semiconductor)
• IKW40N60H3 (Infineon)

Применение:

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Системы управления электродвигателями

Перед заменой рекомендуется уточнять параметры в документации, так как у разных производителей могут быть отличия в характеристиках и корпусах.