IGBT F3L100R07W2E3_B11

Описание IGBT модуля F3L100R07W2E3_B11

F3L100R07W2E3_B11 – это IGBT-модуль третьего поколения (IGBT3) от Infineon Technologies, предназначенный для высокоэффективных силовых преобразователей. Он используется в промышленных приложениях, таких как:

• Частотные преобразователи
• Системы управления двигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные инверторы
• Солнечные инверторы

Модуль объединяет в одном корпусе IGBT-транзисторы с диодами обратного восстановления (FRD), обеспечивая высокую эффективность и надежность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 650 В |
| Ток коллектора (I_C при 25°C) | 100 А |
| Ток коллектора (I_C при 80°C) | 70 А |
| Импульсный ток (I_CP) | 200 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 330 Вт |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.18 К/Вт |
| Тип IGBT | IGBT3 (TrenchStop 3) |
| Тип диода | Fast Recovery Diode (FRD) |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.7 В (тип.) |
| Время включения (t_d(on)) | 35 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 150 нс |
| Корпус | EconoPACK™ 3 (62 мм) |
| Рабочая температура | -40°C … +150°C |
| Вес | ~140 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналогичные модули от Infineon:

• F3L100R07W2E3 (базовая версия без суффикса _B11)
• F3L100R07W2E3_B5 (другая ревизия)
• F3L75R07W2E3_B11 (75 А, 650 В)
• F3L150R07W2E3_B11 (150 А, 650 В)

Совместимые модели от других производителей:

• SEMiX703GB066HDs (Semikron, 75 А, 650 В)
• MG100Q1US41 (Mitsubishi, 100 А, 600 В)
• CM100DY-24NF (Powerex, 100 А, 1200 В, но требует проверки схемы)

Примечания по замене

При замене модуля необходимо учитывать:

• Напряжение и токовую нагрузку
• Тип корпуса и расположение выводов
• Тепловые характеристики системы
• Наличие встроенных диодов

Рекомендуется проверять даташиты перед установкой аналогов.

Если требуется более точная замена, лучше использовать оригинальный модуль F3L100R07W2E3_B11 или его прямые аналоги от Infineon.