IGBT F3L150R07W2E3_B11

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT F3L150R07W2E3_B11
Описание IGBT модуля F3L150R07W2E3_B11
Производитель: Infineon Technologies
Серия: EconoDUAL™ 3
Тип: IGBT модуль с диодом обратного хода (NPT IGBT + Diode)
Назначение: Преобразователи частоты, промышленные приводы, системы управления электродвигателями, источники питания и другие силовые электронные устройства.
Ключевые технические характеристики
| Параметр | Значение |
|-----------------------|----------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 650 В |
| Ток коллектора (IC) при 25°C | 150 А |
| Ток коллектора (IC) при 80°C | 100 А |
| Импульсный ток (ICM) | 300 А |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 1.7 В (тип.) |
| Мощность рассеивания (Ptot) | 480 Вт |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.12 К/Вт |
| Корпус | EconoDUAL™ 3 (62 мм) |
| Встроенный диод | Да (FRD) |
| Диапазон рабочих температур | -40°C ... +150°C |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги от Infineon:
- F3L150R07W2E3 (базовая версия без суффикса _B11)
- F3L150R07W2E3_B9 (другая ревизия)
- F3L150R07W2E3_B5
Совместимые альтернативы от других производителей:
- SEMIKRON: SKM150GB066D
- Mitsubishi Electric: CM150DY-12NF
- Fuji Electric: 2MBI150U4A-060
Особенности
- Низкие потери проводимости и переключения.
- Высокая перегрузочная способность.
- Оптимизированная конструкция для снижения паразитной индуктивности.
- Подходит для частотных преобразователей и инверторов.
Применение
- Промышленные приводы.
- Электромобили и зарядные станции.
- ИБП и сварочное оборудование.
Если нужны дополнительные параметры (характеристики диода, графики зависимости), уточните!