IGBT F3L75R07W2E3_B11

Артикул: 297874
Требуется установка или ремонт?
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT F3L75R07W2E3_B11
Описание IGBT модуля F3L75R07W2E3_B11
F3L75R07W2E3_B11 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) от Infineon Technologies, предназначенный для применения в мощных инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Модуль обладает низкими динамическими потерями, высокой надежностью и хорошими тепловыми характеристиками.
Основные технические характеристики
Электрические параметры:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 650 В
- Номинальный ток коллектора (IC при 25°C): 75 А
- Ток коллектора (IC при 80°C): 50 А
- Импульсный ток (ICM): 150 А
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): 1,7 В (тип.)
- Общие потери мощности (Ptot): 240 Вт
- Время включения (ton): 35 нс
- Время выключения (toff): 140 нс
- Встроенный обратный диод (FRD): Да
Тепловые характеристики:
- Температура перехода (Tj): -40°C до +175°C
- Термическое сопротивление переход-корпус (Rth(j-c)): 0,45 К/Вт
Механические характеристики:
- Корпус: EconoDUAL 3 (62 мм)
- Монтаж: винтовое соединение
- Изоляция: 2500 В (мин.)
Парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги от Infineon (замена без изменений в схеме):
- F3L75R07W2E3 (базовая версия)
- F3L75R07W2E3_B9 (предыдущая ревизия)
Функционально совместимые аналоги (требуется проверка параметров):
- IRG7PH35UD1 (International Rectifier)
- STGW75HF60WD (STMicroelectronics)
- MG75Q1BS41 (Mitsubishi Electric)
Применение
- Промышленные частотные преобразователи
- Сварочные инверторы
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Управление электродвигателями
- Солнечные инверторы
Если вам нужна дополнительная информация по замене или datasheet, уточните параметры вашего устройства.