IGBT F4-75R12MS4

Описание IGBT модуля F4-75R12MS4

F4-75R12MS4 – это IGBT-модуль производства Infineon Technologies, предназначенный для использования в силовой электронике. Модуль выполнен по технологии TrenchStop™, обеспечивающей низкие потери проводимости и высокую эффективность.

Основные сферы применения:

• Промышленные частотные преобразователи
• Источники питания
• Электроприводы
• Сварочное оборудование
• Установки возобновляемой энергетики

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------|---------|
| Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) |
| Номинальное напряжение (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 75 А |
| Макс. ток коллектора (I_CM) | 150 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1,85 В (при 75 А) |
| Время включения (t_d(on)) | 55 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 320 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 К/Вт |
| Корпус | EconoPIM™ 4 (62 мм) |
| Рабочая температура | от -40°C до +150°C |
| Вес | ~150 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги Infineon:

• F4-75R12KS4 (аналог с улучшенными динамическими характеристиками)
• F4-75R12W2S4 (версия с повышенной изоляцией)

Совместимые модели других производителей:

• Mitsubishi: CM75DY-12S
• Fuji Electric: 2MBI75S-120
• Semikron: SKM75GB12T4

Примечание

При замене модуля на аналог необходимо учитывать:

• Распиновку корпуса
• Характеристики драйвера управления
• Условия охлаждения (модуль требует качественного теплоотвода)

Для точного подбора аналога рекомендуется проверять даташиты и консультироваться с производителем.