IGBT FB10R06KL4G-B1

Описание IGBT FB10R06KL4G-B1

FB10R06KL4G-B1 — это Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) с ультрабыстрым диодом в корпусе TO-263-3 (D2PAK). Компонент разработан для применения в высокоэффективных импульсных схемах, таких как инверторы, сварочные аппараты, промышленные приводы и системы управления электродвигателями.

Ключевые особенности:

• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Высокая скорость переключения
• Встроенный ультрабыстрый диод
• Высокая стойкость к перегрузкам
• Термоустойчивость и надежность

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|-----------------------------------|
| Производитель | Fairchild (ON Semiconductor) |
| Тип | IGBT с диодом |
| Корпус | TO-263-3 (D2PAK) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 10 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 20 А |
| Падение напряжения V_CE(sat) | 1.7 В (при I_C = 10 А) |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 48 Вт |
| Встроенный диод | Есть (Ultra-Fast) |
| Температура эксплуатации | от -55°C до +150°C |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• FB10R06KL4G (тот же чип, возможны незначительные отличия в упаковке)
• FGA10N60FTD (Fairchild/ON Semi, похожие параметры)
• IRG4PC40UD (International Rectifier, аналог с близкими характеристиками)

Совместимые модели (по характеристикам):

• STGW10NC60KD (STMicroelectronics)
• HGTG10N60B3 (ON Semiconductor)
• IXGH10N60B3D1 (IXYS)

Применение

• Преобразователи частоты
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями
• Сварочные инверторы
• Системы UPS (ИБП)

Если вам нужна более точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров в конкретной схеме.