IGBT FD800R17KE3B2

Описание и технические характеристики IGBT модуля FD800R17KE3B2

Производитель: Infineon Technologies
Тип модуля: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с диодом обратного хода
Назначение: Высоковольтные и сильноточные применения (промышленные инверторы, приводы двигателей, системы возобновляемой энергии, тяговые преобразователи).

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|-------------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1700 В | | Номинальный ток (I_C) | 800 А (при 80°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 1200 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 3900 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 200 нс | | Время выключения (t_off) | 800 нс | | Тепловое сопротивление (R_thJC) | 0,019 К/Вт | | Диапазон рабочих температур (T_j) | -40°C ... +150°C | | Корпус | 130x140x38 мм (EconoDUAL™ 3) | | Вес | ~370 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены от Infineon:

• FD800R17KE3 (базовая версия без "B2")
• FD800R17KE3B (модификация с улучшенными параметрами)
• FF800R17KE3 (альтернативная серия с аналогичными характеристиками)

Совместимые модели от других производителей:

• Mitsubishi: CM800HA-34H
• SEMIKRON: SK800MLI17E4
• Fuji Electric: 2MBI800VXB-170-50

Примечания

• Модуль оснащен встроенным антипараллельным диодом.
• Подходит для трехфазных инверторных систем.
• Требует эффективного охлаждения (радиатор + активное охлаждение при высоких нагрузках).

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос.