IGBT FF150R12KE3_B8

Описание IGBT модуля FF150R12KE3_B8

FF150R12KE3_B8 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и номинальным током 150 А. Модуль выполнен в стандартном корпусе EconoDUAL™ 3, что обеспечивает высокую надежность и эффективность в силовых приложениях.

Основные области применения:

• Преобразователи частоты
• Инверторы для электродвигателей
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные приводы
• Возобновляемая энергетика (солнечные инверторы, ветрогенераторы)

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (2-in-1) | | Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 150 А (при 80 °C) | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 300 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 60 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 400 нс (тип.) | | Макс. рабочая температура | +150 °C (корпус) | | Корпус | EconoDUAL™ 3 (62 мм × 108 мм) | | Вес | ~250 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• FF150R12KE3 (базовая модель без суффикса _B8)
• FF150R12KT3 (альтернатива с низкими потерями)
• FF150R12ME3_B5 (модуль с улучшенными характеристиками)
• FZ150R12KE3 (аналог от другого производителя)

Производитель: Infineon Technologies

Примечание

Модуль FF150R12KE3_B8 относится к серии EconoDUAL™, что обеспечивает хороший баланс между стоимостью и производительностью. Для точного подбора аналога рекомендуется учитывать параметры системы и условия эксплуатации.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос!