IGBT FF450R17ME4_B11

Описание IGBT модуля FF450R17ME4_B11

Производитель: Infineon Technologies
Тип модуля: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) модуль с диодом обратного хода (FRD)
Назначение: Применяется в мощных преобразовательных устройствах, промышленных инверторах, тяговых приводах, системах возобновляемой энергетики.
Особенности:

• Высокая эффективность и надежность
• Низкие динамические потери
• Встроенные температурные датчики (NTC) для защиты от перегрева
• Высокая перегрузочная способность

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1700 В |
| Номинальный ток (I_C) при 100°C | 450 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 900 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | до 2400 Вт |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 110 нс |
| Время выключения (t_off) | 550 нс |
| Рабочая температура (T_vj) | -40°C … +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,05 К/Вт |
| Корпус | 62 мм (EconoDUAL 3) |
| Вес | ~300 г |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги Infineon:

• FF450R17ME4 (базовая версия)
• FF450R17ME4_B11 (модификация с улучшенными характеристиками)

Аналоги других производителей:

• Mitsubishi: CM450DY-34S
• Fuji Electric: 2MBI450XNE170-50
• SEMIKRON: SKM450GB17E4

Совместимые модули (с проверкой распиновки):

• FF450R12ME4_B11 (1200 В, 450 А)
• FF600R17ME4_B11 (1700 В, 600 А)

Примечание

При замене модуля необходимо учитывать:

• Напряжение и токовые характеристики
• Распиновку и конструкцию корпуса
• Наличие встроенных NTC-датчиков

Для точного подбора аналога рекомендуется сверяться с даташитами производителей.