IGBT FF50R12RT4

Описание IGBT модуля FF50R12RT4

FF50R12RT4 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным диодом, предназначенный для мощных преобразовательных устройств. Модуль выполнен в стандартном корпусе, обеспечивающем высокую эффективность и надежность в силовых электронных системах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |--------------------------|-----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) | | Напряжение VCES | 1200 В | | Ток коллектора (IC) | 50 А (при 25°C) | | Ток импульсный (ICM) | 100 А | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~1.85 В (при 25°C) | | Падение напряжения диода (VF) | ~1.7 В (при 25°C) | | Мощность (Ptot) | 250 Вт (при Tc=25°C) | | Температура перехода | -40°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.35 °C/Вт | | Корпус | 24-выводной (стандартный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF50R12RT4 (оригинал)
• Fuji Electric: 2MBI50U-120 (аналог)
• Mitsubishi: CM50DY-12H (частично совместим)
• SEMIKRON: SKM50GB12T4 (схожие параметры)

Совместимые модели (по характеристикам):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• IXGH50N120B3 (IXYS)
• STGW50HF120S (STMicroelectronics)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Системы управления электродвигателями
• Устройства плавного пуска
• Сварочное оборудование
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Примечание

Перед заменой рекомендуется проверять распиновку и параметры, так как у разных производителей могут быть отличия в корпусах и характеристиках.

Если вам нужна более детальная информация по конкретному применению, уточните условия эксплуатации.