IGBT FF75R12RT4

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT FF75R12RT4
Описание IGBT модуля FF75R12RT4
FF75R12RT4 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с обратным диодом, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в инверторах, промышленных приводах, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.
Модуль выполнен в корпусе EconoPACK™ 4, обеспечивающем высокую эффективность охлаждения и компактные размеры.
Технические характеристики FF75R12RT4
| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT с диодом (2 в 1) | | Макс. напряжение (VCES) | 1200 В | | Ном. ток коллектора (IC) | 75 А (при 25°C) | | Импульсный ток (ICM) | 150 А | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 1.85 В (тип.) | | Скорость переключения | Средняя (оптимизирована для баланса потерь) | | Корпус | EconoPACK™ 4 | | Температура хранения | -40°C ... +125°C | | Температура перехода | -40°C ... +150°C | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.25 K/W (тип.) | | Диод обратного восстановления (VRRM) | 1200 В | | Время восстановления диода (trr) | ≤ 120 нс |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены от Infineon:
- FF75R12RT4 (основная модель)
- FF75R12KT4 (близкий аналог, возможно отличие в характеристиках переключения)
- FF75R12KE3 (устаревшая версия, но может использоваться как замена)
Совместимые модели от других производителей:
- SEMiX75GD12T4 (Semikron)
- CM75DY-12H (Mitsubishi)
- FZ75R12KE3 (Fuji Electric)
Применение
- Преобразователи частоты
- Инверторы для электроприводов
- Сварочные аппараты
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Промышленные системы управления
Модуль FF75R12RT4 обладает высокой надежностью и подходит для работы в жестких условиях эксплуатации. При замене аналогами рекомендуется проверять соответствие характеристик.
Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните!