IGBT FGA25N120

IGBT FGA25N120 – Описание и технические характеристики

Описание:

IGBT FGA25N120 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он обладает низкими потерями проводимости и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для:

• Инверторов и преобразователей
• Источников бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочного оборудования
• Индукционного нагрева
• Управления электродвигателями

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-------------------------|---------------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 25 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 50 А | | Мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,5 В (при I_C = 25 А) | | Время включения (t_on) | 40 нс | | Время выключения (t_off) | 200 нс | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C | | Корпус | TO-3P (TO-247) |

Парт-номера и совместимые модели:

IGBT FGA25N120 может быть заменен аналогами от других производителей:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• HGTG20N120BN (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH25N120B (IXYS)
• STGW25NC120 (STMicroelectronics)
• NGTB25N120FL2WG (ON Semiconductor)

Примечания:

• Рекомендуется проверять datasheet перед заменой, так как параметры могут незначительно отличаться.
• Для надежной работы рекомендуется использовать радиатор и термопасту.

Если вам нужна более подробная информация (например, графики характеристик), уточните – помогу найти datasheet.