IGBT FGA40N65SMD

Описание и технические характеристики IGBT FGA40N65SMD

FGA40N65SMD – это N-канальный IGBT-транзистор с ультранизким падением напряжения в открытом состоянии (Ultra Low VCE(sat)), предназначенный для высокоэффективных преобразователей мощности. Применяется в импульсных источниках питания (SMPS), инверторах, системах управления двигателями, сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах.

Основные характеристики:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 650 В
• Ток коллектора (I_C @25°C): 80 А
• Ток коллектора (I_C @100°C): 40 А
• Максимальный импульсный ток (I_CM): 160 А
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 1,55 В (при I_C = 40 А)
• Рассеиваемая мощность (P_D): 330 Вт
• Температура перехода (T_j): -55°C до +150°C
• Время включения (t_on): 25 нс (тип.)
• Время выключения (t_off): 110 нс (тип.)
• Корпус: TO-247

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность благодаря низкому V_CE(sat)
• Быстрое переключение
• Высокая устойчивость к перегрузкам
• Встроенный быстрый диод

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• IRG4PH50UD (Infineon)
• HGTG40N60C3 (ON Semiconductor)
• IXGH40N60C3D1 (IXYS)
• STGW40NC60WD (STMicroelectronics)

Рекомендуемые замены (похожие параметры):

• FGA40N60SMD (аналог с V_CES = 600 В)
• FGA40N120ANTD (аналог с V_CES = 1200 В)
• FGH40N65SMD (модель с улучшенными динамическими характеристиками)

При замене рекомендуется проверять соответствие характеристик в даташите, особенно напряжение и ток.

Если нужны дополнительные параметры или аналоги, уточните условия применения!