IGBT FGA60N60UFD

Описание IGBT FGA60N60UFD

FGA60N60UFD — это N-канальный IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом, предназначенный для высокоэффективных силовых приложений. Он сочетает в себе низкие потери проводимости и высокую скорость переключения, что делает его подходящим для инверторов, импульсных источников питания, сварочного оборудования и других систем управления мощностью.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (600 В)
• Ток коллектора (60 А) при 25°C
• Низкое падение напряжения (V_CE(sat) = 1.7 В типовое)
• Встроенный ультрабыстрый диод для защиты от обратного тока
• Высокая скорость переключения
• Корпус TO-3PN (изолированный)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 60 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 120 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.7 В (тип.) |
| Мощность рассеивания (P_D) | 330 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode) |
| Корпус | TO-3PN (изолированный) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (совместимые модели):

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 600V, 55A)
• HGTG30N60A4D (ON Semiconductor, 600V, 60A)
• IXGH60N60B3D1 (IXYS, 600V, 60A)
• STGW60H65DFB (STMicroelectronics, 650V, 60A)

Похожие модели (с отличиями в характеристиках):

• FGA60N65SMD (650V, 60A, более высокая стойкость к перенапряжениям)
• FGA60N120ANTD (1200V, 60A, для более высоких напряжений)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Системы индукционного нагрева

Если вам нужна замена, важно учитывать параметры V_CES, I_C, корпус и наличие диода.