IGBT fgh40n60

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT fgh40n60
Описание IGBT FGH40N60
FGH40N60 — это N-канальный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Он сочетает в себе преимущества MOSFET (быстрое переключение) и биполярных транзисторов (низкие потери проводимости), что делает его подходящим для инверторов, импульсных источников питания, сварочного оборудования и двигательных приводов.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Структура | N-канальный IGBT |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Ток коллектора (IC) | 40 А (при 25°C) |
| Ток коллектора импульсный (ICM) | 80 А |
| Мощность рассеивания (PD) | 200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (VGE) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (VGE(th)) | 4,0–6,0 В |
| Время включения (ton) | 35 нс |
| Время выключения (toff) | 150 нс |
| Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) | 2,5 В (при IC = 40 А) |
| Температура перехода (Tj) | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 |
Аналоги и совместимые модели
Прямые аналоги (замены):
- IRG4PC40U (International Rectifier, 600 В, 40 А)
- HGTG40N60B3 (ON Semiconductor, 600 В, 40 А)
- IXGH40N60B (IXYS, 600 В, 40 А)
- STGW40NC60V (STMicroelectronics, 600 В, 40 А)
- APT40GF60J (Microchip, 600 В, 40 А)
Близкие по характеристикам:
- FGA40N60 (Fairchild, 600 В, 40 А)
- NGTB40N60FL2WG (ON Semiconductor, 600 В, 40 А)
- IKW40N60T (Infineon, 600 В, 40 А)
Применение
- Преобразователи частоты
- Индукционные нагреватели
- Импульсные блоки питания (SMPS)
- Сварочные инверторы
- Управление электродвигателями
Примечание
При замене на аналог необходимо учитывать параметры VCE(sat), ton/toff и корпус. Для высокочастотных схем лучше выбирать модели с меньшим временем переключения.
Если нужны спецификации конкретного аналога, уточните производителя или условия эксплуатации.