IGBT FGH40T100SMD

Описание IGBT FGH40T100SMD

FGH40T100SMD — это N-канальный IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом в корпусе TO-247, предназначенный для высокоэффективных импульсных преобразователей, инверторов и мощных силовых приложений. Обладает низкими коммутационными потерями и высокой устойчивостью к перегрузкам, что делает его идеальным для промышленного и автомобильного применения (например, в сварочных инверторах, частотных преобразователях, ИБП).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 80 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 40 А | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 160 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 330 Вт | | Напряжение отпирания (V_GE(th)) | 4.5–6.5 В | | Падение напряжения (V_CE(sat)) при 40 А | 2.3 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 45 нс | | Время выключения (t_off) | 320 нс | | Диапазон рабочих температур | -55°C…+150°C | | Корпус | TO-247 |

Парт-номера (аналоги и совместимые модели)

Прямые аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• IXGH40N100 (IXYS)
• STGW40H100DF (STMicroelectronics)
• APT40GF100B (Microsemi)

Совместимые модели от других производителей (с похожими параметрами):

• FGH40N60SFD (Fairchild/ON Semi) – 600 В, но с похожими характеристиками тока
• HGTG40N100C3D (Renesas) – 1000 В, 60 А

Примечания по замене

При выборе аналога учитывайте:

• Напряжение V_CES (должно быть не менее 1000 В).
• Ток I_C (рекомендуется ≥40 А при 100°C).
• Наличие встроенного диода (важно для инверторных схем).

Для критичных применений проверяйте разводку выводов (pinout) и параметры динамических потерь.

Если требуется модель с улучшенными характеристиками, можно рассмотреть FGH60N100SMD (60 А, 1000 В) из той же линейки.

Нужна дополнительная информация? Готов уточнить детали!