IGBT FGH60N60SFD

Описание IGBT FGH60N60SFD

FGH60N60SFD — это N-канальный IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом в корпусе TO-247, разработанный для высокоэффективных преобразователей энергии. Применяется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, электроприводах и других системах с высокими напряжениями и токами.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) | 60 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 120 А | | Мощность (P_tot) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при 30 А) | | Время включения (t_on) | 30 нс | | Время выключения (t_off) | 110 нс | | Встроенный диод | Быстрый восстановительный | | Корпус | TO-247 | | Температура хранения | -55°C до +150°C | | Температура перехода| до +150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (схожие параметры):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• IXGH60N60C2D1 (IXYS)
• STGW60HF60WD (STMicroelectronics)

Совместимые модели (с проверкой распиновки):

• FGA60N65SMD (Fairchild/ON Semi)
• HGTG20N60C3D (Renesas)
• NGTB50N60S3D (ON Semiconductor)

Примечание

Перед заменой на аналог проверяйте:

• Распиновку корпуса (TO-247 может иметь различия).
• Параметры V_CES, I_C, V_CE(sat).
• Наличие встроенного диода (если критично для схемы).

Для точного подбора рекомендуется использовать даташиты и кросс-ссылки производителей (Infineon, ON Semi, STM).