IGBT FGH60N60SMD

Описание IGBT FGH60N60SMD

FGH60N60SMD — это N-канальный IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 600 В и номинальным током 60 А. Модуль предназначен для высокоэффективных силовых приложений, таких как:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Системы управления электродвигателями
• Сварочное оборудование

Ключевые особенности:

• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Высокая стойкость к перегрузкам
• Быстрое переключение и низкие динамические потери
• Встроенный быстрый диод (антипараллельный)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 60 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 30 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 120 А |
| Падение напряжения V_CE(sat) (при I_C = 60 А) | ≤ 1.8 В |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |
| Рабочая температура | -55°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (по характеристикам):

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 600 В, 55 А)
• HGTG30N60A4D (ON Semiconductor, 600 В, 60 А)
• IXGH60N60C3 (IXYS, 600 В, 60 А)
• STGW60H65DFB (STMicroelectronics, 650 В, 60 А)

Похожие модели с близкими параметрами:

• FGA60N65SMD (650 В, 60 А, Fairchild)
• IKW60N65EH5 (650 В, 60 А, Infineon)
• NGTB60N65FL2WG (650 В, 60 А, ON Semi)

Примечание

При замене на аналог важно учитывать:

• Рабочее напряжение и ток
• Параметры переключения
• Тепловые характеристики (R_thJC)

Для точного подбора рекомендуется проверять даташиты и тестировать в реальных условиях.

Если нужны дополнительные данные или схемы подключения, уточните!