IGBT FGH80N60FD

Описание IGBT FGH80N60FD

FGH80N60FD — это N-канальный IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом, предназначенный для высокоэффективных импульсных преобразователей, инверторов и других силовых электронных устройств. Обладает низкими потерями при переключении и высокой устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный IGBT с диодом |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 80 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 40 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 160 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,4 В (при I_C = 80 А) |
| Мощность рассеяния (P_D) | 330 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Скорость переключения | Высокая (оптимизирована для инверторов) |
| Корпус | TO-247 |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (замена без изменений схемы):

• IRG4PC50UD (International Rectifier, 600 В, 55 А, TO-247)
• HGTG20N60A4D (ON Semiconductor, 600 В, 40 А, TO-247)
• IXGH80N60B3 (IXYS, 600 В, 80 А, TO-247)

Совместимые модели (требуется проверка параметров):

• FGH80N60SFD (аналог с улучшенными характеристиками)
• FGA60N65SMD (650 В, 60 А, TO-3PN)
• STGW80H65DFB (STMicroelectronics, 650 В, 80 А)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Сварочное оборудование
• Системы управления электродвигателями

Если требуется более точная замена, рекомендуется проверить datasheet на соответствие параметрам вашей схемы.