IGBT FP06R12W1T4B3BOMA1

Описание IGBT FP06R12W1T4B3BOMA1

FP06R12W1T4B3BOMA1 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Infineon Technologies, предназначенный для применения в высокоэффективных инверторах, преобразователях частоты и системах управления электродвигателями. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой перегрузочной способностью и отличной термостабильностью.

Основные технические характеристики

• Тип модуля: IGBT с диодом обратного хода (Diode)
• Конфигурация: Двухключевой модуль (Half-Bridge)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C @25°C): 6 А
• Ток коллектора (I_C @100°C): 4 А
• Максимальный импульсный ток (I_CM): 12 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 48 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 1,85 В (типовое)
• Время переключения (t_on/t_off): 30 нс / 120 нс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 1,25 °C/Вт
• Диапазон рабочих температур: -40°C … +150°C
• Корпус: 23-контактный (EASY1B)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon:

• FP06R12W1T4 (базовая версия без суффиксов)
• FP06R12W1T4_B3 (аналогичный вариант)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Mitsubishi: CM06DY-12H
• Fuji Electric: 6MBP06RA120
• SEMIKRON: SKM600GB12T4

Применение

• Преобразователи частоты (ЧРП)
• Инверторы для солнечных электростанций
• Системы управления электродвигателями
• Промышленные источники питания

Модуль FP06R12W1T4B3BOMA1 обеспечивает высокую надежность и эффективность в силовых электронных системах среднего и малого диапазона мощности.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните!