IGBT FP10R12NT3

Описание IGBT FP10R12NT3

FP10R12NT3 — это IGBT-транзистор с кремниевой технологией, разработанный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и двигательных приводов. Модуль объединяет IGBT и антипараллельный диод в одном корпусе, обеспечивая высокую эффективность и надежность в силовой электронике.

Основные технические характеристики

Общие параметры:

• Производитель: Infineon Technologies (ранее International Rectifier)
• Тип модуля: IGBT с диодом (DUAL)
• Корпус: 27 мм (NGD)

Электрические параметры IGBT:

• Коллектор-эмиттер напряжение (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C при 25°C): 10 А
• Ток коллектора (I_C при 100°C): 6 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 48 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 1.8 В (тип.)
• Время включения (t_on): 30 нс
• Время выключения (t_off): 120 нс

Электрические параметры диода:

• Обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 10 А
• Падение напряжения (V_F): 1.7 В (тип.)

Термические параметры:

• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 1.25°C/Вт

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• Infineon: FP10R12KT3, FP10R12W1T3
• Mitsubishi: CM10DY-12S
• Fuji Electric: 6MBP10RA120
• SEMIKRON: SKM100GB12T4

Совместимые модели (по характеристикам):

• STMicroelectronics: STGW10NC120HD
• ON Semiconductor: NGTB10N120FL2WG

Применение

• Промышленные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы и сервосистемы
• Сварочные аппараты

Этот модуль подходит для замены в схемах, где требуется высокое напряжение и умеренный ток с хорошим тепловыделением. При выборе аналога учитывайте распиновку и тепловые параметры.

Если вам нужны дополнительные данные (графики, даташит), уточните!