IGBT FP10R12W1T4_B3

Описание IGBT модуля FP10R12W1T4_B3

Производитель: Infineon Technologies
Серия: TRENCHSTOP™ IGBT 7
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (встроенный антипараллельный диод)
Конфигурация: Одиночный (Single) IGBT с диодом, 2-уровневая топология
Назначение: Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями, UPS и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C @25°C): 10 А
• Ток коллектора (I_C @100°C): 6 А
• Импульсный ток (I_CM): 20 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 48 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 1,7 В (тип.)
• Время включения/выключения (t_on/t_off): 30 нс / 150 нс

Параметры встроенного диода:

• Прямое напряжение (V_F): 1,6 В (тип.)
• Обратное восстановление (t_rr): 100 нс

Тепловые характеристики:

• Температура перехода (T_j): -40°C ... +175°C
• Термосопротивление (R_th(j-c)): 1,25 К/Вт

Корпус:

• Тип корпуса: EasyPACK™ 2B
• Монтаж: Винтовое крепление
• Изоляция: 2500 В (между базовой платой и клеммами)

Part-номера и совместимые модели

Аналоги и парт-номера:

• Infineon: FP10R12W1T4 (базовая версия без суффикса _B3)
• Совместимые замены:
  • Fuji Electric: 2MBI10U4B-120
  • Mitsubishi: CM10DY-12S
  • SEMIKRON: SKM10GB12T4

Похожие модели в серии:

• FP15R12W1T4_B3 (15 А)
• FP20R12W1T4_B3 (20 А)
• FP5R12W1T4_B3 (5 А)

Примечания

• Модуль оптимизирован для высокой эффективности и низких потерь благодаря технологии TrenchStop™ 7.
• Подходит для частотного управления до 20 кГц.
• Рекомендуется использовать с драйверами, поддерживающими отрицательное напряжение отключения (например, 1ED020I12-F2 от Infineon).

Если требуется уточнение по замене или применению, укажите конкретные условия эксплуатации.