IGBT FP150R07N3E4_B11

Описание IGBT модуля FP150R07N3E4_B11

FP150R07N3E4_B11 – это IGBT-модуль с напряжением 700 В и током 150 А, предназначенный для мощных преобразователей и инверторов. Модуль включает в себя высокоэффективные транзисторы IGBT с диодами обратного восстановления (антипараллельные диоды), что делает его пригодным для использования в промышленных приложениях, таких как:

• Частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Системы управления двигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Модуль выполнен в корпусе EconoDUAL™ 3, обеспечивающем хорошие тепловые и электрические характеристики.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|----------------------------------|
| Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) |
| Макс. напряжение (V_CES) | 700 В |
| Ном. ток коллектора (I_C) | 150 А (при 25°C) |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 300 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1,7 В (тип.) |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 5,5 В (тип.) |
| Энергия переключения (E_on / E_off) | 8 мДж / 5 мДж (тип.) |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 К/Вт (IGBT) / 0,35 К/Вт (диод) |
| Корпус | EconoDUAL™ 3 (62 мм) |
| Вес | ~200 г |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальные аналоги (Infineon)

• FP150R07N3E4 (базовая версия)
• FP150R07N3E4_B5 (другая ревизия)
• FP150R07KT3 (альтернатива с улучшенными характеристиками)

Совместимые модели других производителей

• SEMIKRON: SKM150GB066D
• Mitsubishi: CM150DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI150N-060
• ON Semiconductor: NXH150T120L3Q1

Примечания по замене

При выборе аналога важно учитывать:

• Напряжение и ток (700 В / 150 А)
• Тип корпуса (EconoDUAL™ 3)
• Наличие встроенного диода
• Распиновку и монтажные отверстия

Если вам нужен более точный подбор, укажите конкретное применение модуля.