IGBT FP25R

Описание IGBT модуля FP25R

IGBT модуль FP25R – это силовой полупроводниковый прибор, сочетающий биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) и антипараллельный диод в одном корпусе. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других системах управления мощностью.

Модуль отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей термостабильностью.

Технические характеристики

• Тип: IGBT модуль
• Конфигурация: Транзистор + диод (часто встречается в вариантах 2 в 1 или 6 в 1)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В, 1200 В (зависит от модификации)
• Ток коллектора (I_C): 25 А
• Ток короткого замыкания (I_SC): 50 А (типовое значение)
• Мощность (P_tot): ~150–200 Вт
• Напряжение затвора (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения (V_CE(sat)): ~1.8–2.5 В
• Температура хранения/эксплуатации: -40°C до +150°C
• Корпус: Стандартный (например, 62 мм × 34 мм)

Парт-номера и совместимые модели

В зависимости от производителя (Infineon, Fuji, Mitsubishi и др.) могут встречаться следующие варианты:

Основные парт-номера:

• FP25R12KT3 (Infineon, 1200 В, 25 А)
• FP25R12KE3 (Infineon, 1200 В, 25 А, обновленная версия)
• FP25R12W2T4 (Infineon, 1200 В, с низкими потерями)
• FP25R06KE3 (600 В, 25 А)

Аналоги и замены:

• IRG4PH40UD (International Rectifier, 600 В, 23 А)
• CM75DY-12H (Mitsubishi, 1200 В, 75 А – для более мощных систем)
• SKM75GB12T4 (Semikron, 1200 В, 75 А)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Системы управления двигателями
• ИБП (источники бесперебойного питания)

Если вам нужны точные параметры для конкретной модели (например, FP25R12KT3), уточните производителя или datasheet.