IGBT FP25R12KT4

Описание IGBT модуля FP25R12KT4

FP25R12KT4 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для высокоэффективных силовых преобразований. Модуль содержит два IGBT транзистора с антипараллельными диодами в полумостовой (half-bridge) конфигурации. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Тип модуля | IGBT полумост (Half-Bridge) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 25 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 50 А | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1,85 В (тип.) | | Диодное прямое напряжение (V_F) | 1,7 В (тип.) | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 160 Вт | | Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C | | Корпус | TrenchStop™ IGBT, модуль 24 мм (EASY) | | Входная емкость (C_ies) | 4,5 нФ | | Время включения (t_on) | 45 нс | | Время выключения (t_off) | 280 нс |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon:

• FP25R12KE3 (более старая версия)
• FP25R12W1T4 (альтернатива с улучшенными характеристиками)
• FP25R12KT3 (предыдущее поколение)

Аналоги от других производителей:

• Mitsubishi CM25DY-12S
• Fuji Electric 2MBI25N-120
• SEMIKRON SKM25GB12T4

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы и UPS
• Сварочное оборудование
• Электроприводы

Модуль FP25R12KT4 отличается высокой надежностью и эффективностью благодаря технологии TrenchStop™, обеспечивающей низкие потери и высокую термостабильность.

Если вам нужна замена, учитывайте не только электрические параметры, но и механический монтаж (размеры, расположение клемм). Для точного подбора аналога лучше проверять даташиты.

Нужны дополнительные данные или схемы подключения?