IGBT FP30R06W1E3

Описание IGBT FP30R06W1E3

FP30R06W1E3 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным быстрым диодом, предназначенный для высокоэффективных силовых преобразовательных приложений. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его подходящим для инверторов, частотных преобразователей, сварочного оборудования и других систем управления мощностью.

Корпус модуля обеспечивает хорошие тепловые характеристики и электрическую изоляцию, что упрощает монтаж на радиатор.

Технические характеристики

| Характеристика | Значение | |-----------------------------|--------------| | Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 30 А | | Ток коллектора (I_C) импульсный | 60 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.7 В (при 30 А, 25°C) | | Время включения (t_on) | ~40 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Напряжение диода (V_FM) | ~1.3 В | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.3 °C/Вт | | Корпус | TO-247 (или аналогичный изолированный) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon:
  • FP30R06W1E3 (оригинал)
  • FP30R06KE3 (аналог с близкими параметрами)
  • FP30R06W1E3B11 (модификация)
• STMicroelectronics:
  • STGW30NC60WD (аналог с похожими характеристиками)
• Fairchild/ON Semiconductor:
  • FGA30N60 (альтернатива)
• Mitsubishi:
  • CM300DY-24NFH (другой корпус, но частично совместим по характеристикам)

Совместимые модели в схемах:

• FP20R06W1E3 (20 А, 600 В) – для менее мощных систем
• FP40R06W1E3 (40 А, 600 В) – для более высоких нагрузок
• FP30R12W1E3 (30 А, 1200 В) – для приложений с повышенным напряжением

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Импульсные источники питания (SMPS)

Если требуется точная замена, рекомендуется сверяться с даташитом производителя, так как параметры могут незначительно отличаться.