IGBT FP30R06W1E3B11BOMA1

IGBT FP30R06W1E3B11BOMA1 – это модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) производства Infineon Technologies, предназначенный для применения в инверторах, преобразователях частоты, сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах.

Основные характеристики:

• Тип модуля: IGBT модуль (DUAL)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C при 25°C): 30 А
• Ток коллектора (I_C при 100°C): 15 А
• Ток короткого замыкания (I_SC): 60 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 160 Вт
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 1,55 В (тип.)
• Время включения (t_on): 35 нс
• Время выключения (t_off): 140 нс
• Корпус: EconoPIM™ 2 (Dual)
• Температура хранения: от -40°C до +150°C
• Температура перехода (T_vj): до 150°C

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги от Infineon:

• FP30R06W1E3 (базовая модель)
• FP30R06W1E3BOMA1 (полное обозначение)
• FP30R06W1E3B11BOMA1 (уточненная версия)

Аналоги от других производителей:

• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)
• FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• IRG4BC30UD (International Rectifier/Infineon)

Совместимые модули (по параметрам и корпусу):

• FP25R12W2T4 (более мощный аналог)
• FP40R12KE3 (схожий по характеристикам)
• FP20R06KE3 (менее мощный вариант)

Применение:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Импульсные источники питания

Модуль отличается высокой надежностью, эффективным теплоотводом и низкими коммутационными потерями.

Если требуется более точная замена, рекомендуется проверять datasheet производителя, так как номенклатура может меняться.