IGBT FP35R12U1T4

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT FP35R12U1T4
Описание IGBT FP35R12U1T4
FP35R12U1T4 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным быстрым диодом, разработанный для мощных преобразователей, инверторов и частотных приводов. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой надежностью и эффективностью в силовых электронных схемах.
Ключевые особенности:
- Высокая перегрузочная способность
- Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat))
- Быстрый встроенный антипараллельный диод
- Высокотемпературная стойкость
- Изолированный корпус для простого монтажа
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Ток коллектора (IC @ 25°C) | 35 А |
| Ток коллектора (IC @ 80°C) | 23 А |
| Импульсный ток (ICM) | 70 А |
| Мощность рассеивания (Ptot) | 175 Вт |
| Падение напряжения (VCE(sat)) | 1,85 В (тип.) |
| Время включения (ton) | 45 нс |
| Время выключения (toff) | 280 нс |
| Диодное прямое напряжение (VF) | 1,7 В |
| Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C |
| Корпус | EASY1B (изолированный) |
| Вес | ~50 г |
Парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги (замены):
- FP35R12KT3 (аналог от Infineon)
- FP35R12KE3 (аналог с другим теплоотводом)
- FP35R12W1T4 (модификация с улучшенными характеристиками)
- CM75DY-12H (Mitsubishi, требует проверки распиновки)
- SKM75GB12T4 (Semikron, аналог по параметрам)
Совместимые модели в схемах (похожие характеристики):
- Infineon: FF75R12RT4, FF50R12RT4 (более мощные)
- Mitsubishi: CM50DY-12H, CM100DY-12H
- SEMIKRON: SKM50GB12T4, SKM100GB12T4
Применение
- Промышленные частотные преобразователи
- Сварочные инверторы
- Системы управления двигателями
- ИБП и солнечные инверторы
Если требуется точная замена, рекомендуется сверять распиновку и характеристики с даташитом производителя.