IGBT FP35R12U1T4

Описание IGBT FP35R12U1T4

FP35R12U1T4 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным быстрым диодом, разработанный для мощных преобразователей, инверторов и частотных приводов. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой надежностью и эффективностью в силовых электронных схемах.

Ключевые особенности:

• Высокая перегрузочная способность
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Быстрый встроенный антипараллельный диод
• Высокотемпературная стойкость
• Изолированный корпус для простого монтажа

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C @ 25°C) | 35 А |
| Ток коллектора (I_C @ 80°C) | 23 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 70 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 175 Вт |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1,85 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 45 нс |
| Время выключения (t_off) | 280 нс |
| Диодное прямое напряжение (V_F) | 1,7 В |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | EASY1B (изолированный) |
| Вес | ~50 г |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (замены):

• FP35R12KT3 (аналог от Infineon)
• FP35R12KE3 (аналог с другим теплоотводом)
• FP35R12W1T4 (модификация с улучшенными характеристиками)
• CM75DY-12H (Mitsubishi, требует проверки распиновки)
• SKM75GB12T4 (Semikron, аналог по параметрам)

Совместимые модели в схемах (похожие характеристики):

• Infineon: FF75R12RT4, FF50R12RT4 (более мощные)
• Mitsubishi: CM50DY-12H, CM100DY-12H
• SEMIKRON: SKM50GB12T4, SKM100GB12T4

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Системы управления двигателями
• ИБП и солнечные инверторы

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять распиновку и характеристики с даташитом производителя.