IGBT FP35R12W2T4BOMA1

Описание IGBT модуля FP35R12W2T4BOMA1

IGBT модуль FP35R12W2T4BOMA1 производства Infineon Technologies – это высокоэффективный транзисторный модуль с диодом обратного хода (NPT IGBT + Freewheeling Diode), предназначенный для применения в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

• Производитель: Infineon Technologies
• Тип: IGBT модуль (NPT-IGBT + Diode)
• Конфигурация: Полумост (2 в 1)
• Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток (I_C при 25°C): 35 А
• Макс. импульсный ток (I_CM): 70 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 160 Вт
• Падение напряжения (V_CE(sat)): 1,85 В (тип.)
• Время включения (t_on): 44 нс
• Время выключения (t_off): 320 нс
• Корпус: EconoPACK™ 2 (62 мм × 42 мм)
• Диапазон температур: -40°C…+150°C
• Изоляция: 2500 В (UL-признан)

Парт-номера и совместимые модели

• Альтернативные парт-номера:

  • FP35R12W2T4 (базовая версия)
  • FP35R12W2T4BOMA1 (полное обозначение)
  • FP35R12W2T4B11BOMA1 (модификация с другим лот-кодом)

• Аналоги и совместимые модели:

  • Infineon: FP25R12W2T4 (25 А), FP50R12W2T4 (50 А)
  • Mitsubishi: CM75DY-12H (75 А, 1200 В)
  • Fuji Electric: 2MBI50VA-120-50 (50 А, 1200 В)
  • SEMIKRON: SKM75GB12T4 (75 А, 1200 В)

Модуль совместим с другими моделями в корпусе EconoPACK™ 2 с аналогичными характеристиками, но перед заменой рекомендуется уточнять параметры схемы управления и тепловые режимы.

Если вам нужна дополнительная информация по применению или аналогам, уточните условия использования.