IGBT FP40R12KE3G

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT FP40R12KE3G
Описание IGBT модуля FP40R12KE3G
FP40R12KE3G – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, разработанный для мощных силовых электронных приложений. Он сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери проводимости и переключения, а также надежную конструкцию.
Модуль выполнен в стандартном корпусе EconoPACK™ 3, что обеспечивает хорошее охлаждение и простоту монтажа. Основные сферы применения:
- Промышленные приводы
- Инверторы
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Электроприводы и преобразователи частоты
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |--------------------------|--------------| | Тип модуля | IGBT с диодом (6-в 1) | | Макс. напряжение (VCES) | 1200 В | | Номинальный ток (IC) | 40 А (при 80°C) | | Импульсный ток (ICM) | 80 А | | Падение напряжения (VCE(sat)) | 1,85 В (тип.) | | Время включения (ton) | 42 нс | | Время выключения (toff) | 290 нс | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,35 К/Вт | | Корпус | EconoPACK™ 3 | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C | | Вес | ~100 г |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и альтернативы от Infineon:
- FP40R12KE3 (предыдущая версия без "G")
- FP40R12KT3 (аналог с улучшенными характеристиками)
- FP40R12W2T4 (альтернатива в другом корпусе)
Совместимые аналоги от других производителей:
- Mitsubishi: CM400DY-12NF
- Fuji Electric: 2MBI400VN-120-50
- SEMIKRON: SKM400GB12T4
Заключение
Модуль FP40R12KE3G подходит для замены в ремонте или проектировании новых систем. При выборе аналога важно учитывать корпус, токовые и тепловые параметры.
Если нужны дополнительные данные (например, схемы подключения), уточните запрос!