IGBT FP50R07N2E4_B11

Описание IGBT модуля FP50R07N2E4_B11

FP50R07N2E4_B11 – это IGBT-модуль производства Infineon Technologies, предназначенный для применения в мощных импульсных преобразователях, инверторах и системах управления электродвигателями. Модуль выполнен по технологии NPT (Non-Punch Through) и обладает низкими потерями проводимости и переключения.

Основные сферы применения:

• Промышленные приводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Системы возобновляемой энергетики (солнечные инверторы)
• Сварочное оборудование

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) | | Макс. напряжение (V_CES) | 700 В | | Ном. ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1,7 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 45 нс | | Время выключения (t_off) | 320 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 K/W | | Корпус | EASY2B (плоский, с изолированной базой) | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (Infineon):

• FP50R07N2E4 (базовая версия)
• FP50R07N2E4_B9 (аналогичный, с другим вариантом корпуса)

Аналоги от других производителей:

• FGA50N65SMD (Fairchild/ON Semi) – 650 В, 50 А (требуется проверка схемы)
• MG50Q6ES40 (Toshiba) – 600 В, 50 А (менее мощный)
• CM50DY-24H (Mitsubishi) – 600 В, 50 А (другой форм-фактор)

Совместимые модели (замена с проверкой параметров):

• FP50R06KE3 (600 В, 50 А, более старая версия)
• FP50R12KT3 (1200 В, 50 А, для более высоких напряжений)

Примечания

• FP50R07N2E4_B11 имеет встроенные антипараллельные диоды, что упрощает схемотехнику.
• При замене на аналог необходимо учитывать напряжение, ток, скорость переключения и тепловые параметры.
• Для точной совместимости рекомендуется проверять datasheet и разводку печатной платы.

Если нужна дополнительная информация по аналогам или применению – уточните условия эксплуатации!