IGBT fp50r120kt3

Описание IGBT модуля FP50R120KT3

FP50R120KT3 – это IGBT-модуль с интегрированным антипараллельным диодом, предназначенный для мощных инверторных и импульсных преобразователей. Используется в промышленных приложениях, таких как:

• Промышленные приводы
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Модуль выполнен в корпусе EASY1B, обеспечивающем хороший теплоотвод и простоту монтажа.

Технические характеристики

Основные параметры IGBT:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 50 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 25 А (при 100°C)
• Максимальная импульсная мощность (P_tot): 312 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,1 В (при I_C = 50 А)
• Время включения (t_on): 54 нс
• Время выключения (t_off): 310 нс

Параметры встроенного диода:

• Прямое напряжение (V_F): 1,7 В (при I_F = 50 А)
• Время восстановления (t_rr): 120 нс

Тепловые характеристики:

• Термосопротивление переход-корпус (R_thJC): 0,25 °C/Вт
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C

Механические характеристики:

• Корпус: EASY1B
• Монтаж: винтовое крепление
• Вес: ~110 г

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и альтернативы от других производителей:

• Infineon: FP50R12KT3 (более новая версия)
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI50N-120
• Semikron: SKM50GB12T4

Парт-номера для замены:

• FP50R12KT3 (Infineon, улучшенная версия)
• FP50R12KE3 (аналог с другим корпусом)
• FP50R12W2T4 (с улучшенными динамическими характеристиками)

Заключение

FP50R120KT3 – надежный IGBT-модуль для силовой электроники среднего и высокого уровня мощности. Подходит для замены в ремонте или модернизации оборудования. При выборе аналога важно учитывать токовые и тепловые параметры.

Если нужна более детальная информация по применению или схемы подключения – уточните запрос!