IGBT FP50R12KT4G

Описание IGBT FP50R12KT4G

FP50R12KT4G — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным антипараллельным диодом, предназначенный для высокоэффективных силовых преобразований. Модуль используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других приложениях, требующих высокой мощности и надежности.

Производитель: Infineon Technologies
Семейство: EconoPACK™ 4
Корпус: 62 мм (модуль с изолированным основанием)
Количество ключей: 2 (Half-Bridge, 2x IGBT + 2x Diode)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 75 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 50 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 150 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,7 В (тип.) |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт |
| Диод: прямое напряжение (V_F) | 1,75 В (тип.) |
| Сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)) | 0,25 К/Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C … +150°C |
| Термическое сопротивление (R_th(j-s)) | 0,55 К/Вт |
| Входная емкость (C_ies) | 6,5 нФ |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (Infineon и другие производители):

• FP50R12KT3 (более ранняя версия)
• FP50R12KE3G (аналог с другим корпусом)
• FP50R12KT4 (версия без "G" в конце)
• CM75DU-12F (Mitsubishi)
• SKM75GB12T4 (Semikron)

Совместимые модели в схемах (замена требует проверки параметров):

• FF75R12RT4 (Fuji Electric)
• MG75Q1BS41 (Toshiba)
• BSM75GB120DN2 (ABB)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные силовые системы

Модуль FP50R12KT4G отличается высокой надежностью, низкими коммутационными потерями и хорошей термостабильностью, что делает его популярным в силовой электронике.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос.