IGBT FP75R07N2E4

Описание IGBT FP75R07N2E4

FP75R07N2E4 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для мощных силовых применений, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и промышленные приводы. Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, высокую надежность и эффективное охлаждение благодаря изолированному корпусу.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: E4 (оптимизирована для низких потерь)
• Тип корпуса: 62 мм (изолированный, с низкой индуктивностью)
• Конфигурация: 2 в 1 (Dual IGBT + диод)

Электрические характеристики:

• Коллектор-эмиттер напряжение (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 75 А (при 25°C) / 45 А (при 100°C)
• Ток короткого замыкания (I_SC): 150 А (10 мкс)
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 1,7 В (тип.)
• Время включения (t_on): 30 нс
• Время выключения (t_off): 150 нс
• Встроенный диод: Да (антипараллельный)

Тепловые характеристики:

• Термосопротивление (R_th(j-c)): 0,25 К/Вт
• Макс. температура перехода (T_j): 150°C

Габариты и монтаж:

• Размеры: ~62 x 34 x 17 мм
• Вес: ~100 г
• Монтаж: винтовое крепление

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon:

• FP75R07N2E4B11 (с улучшенными характеристиками)
• FP75R07N2E4_B11 (альтернативное обозначение)
• FP75R07N2E4BOSA1 (версия для OEM)

Совместимые/альтернативные модели от других производителей:

• Mitsubishi Electric: CM75DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI75N-060
• Semikron: SKM75GB12T4

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Электроприводы
• ИБП (источники бесперебойного питания)

Модуль FP75R07N2E4 обеспечивает высокую эффективность и надежность в тяжелых условиях эксплуатации.

Если нужна дополнительная информация (datasheet, схемы подключения), уточните запрос!