IGBT FP75R07N2E4

Артикул: 298116
Требуется установка или ремонт?
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT FP75R07N2E4
Описание IGBT FP75R07N2E4
FP75R07N2E4 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для мощных силовых применений, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и промышленные приводы. Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, высокую надежность и эффективное охлаждение благодаря изолированному корпусу.
Технические характеристики
Основные параметры:
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: E4 (оптимизирована для низких потерь)
- Тип корпуса: 62 мм (изолированный, с низкой индуктивностью)
- Конфигурация: 2 в 1 (Dual IGBT + диод)
Электрические характеристики:
- Коллектор-эмиттер напряжение (VCES): 600 В
- Ток коллектора (IC): 75 А (при 25°C) / 45 А (при 100°C)
- Ток короткого замыкания (ISC): 150 А (10 мкс)
- Напряжение насыщения (VCE(sat)): 1,7 В (тип.)
- Время включения (ton): 30 нс
- Время выключения (toff): 150 нс
- Встроенный диод: Да (антипараллельный)
Тепловые характеристики:
- Термосопротивление (Rth(j-c)): 0,25 К/Вт
- Макс. температура перехода (Tj): 150°C
Габариты и монтаж:
- Размеры: ~62 x 34 x 17 мм
- Вес: ~100 г
- Монтаж: винтовое крепление
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги от Infineon:
- FP75R07N2E4B11 (с улучшенными характеристиками)
- FP75R07N2E4_B11 (альтернативное обозначение)
- FP75R07N2E4BOSA1 (версия для OEM)
Совместимые/альтернативные модели от других производителей:
- Mitsubishi Electric: CM75DY-12H
- Fuji Electric: 2MBI75N-060
- Semikron: SKM75GB12T4
Применение
- Промышленные инверторы
- Сварочные аппараты
- Электроприводы
- ИБП (источники бесперебойного питания)
Модуль FP75R07N2E4 обеспечивает высокую эффективность и надежность в тяжелых условиях эксплуатации.
Если нужна дополнительная информация (datasheet, схемы подключения), уточните запрос!