IGBT FP75R12KT4_B11

Описание IGBT модуля FP75R12KT4_B11

FP75R12KT4_B11 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль выполнен в стандартном корпусе TrenchStop™ с низкими потерями и высокой эффективностью. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах и источниках бесперебойного питания (ИБП).

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (DUAL) |
| Корпус | 62mm (EconoDUAL™ 2) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 75 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 150 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) |
| Скорость переключения | Высокая (оптимизирован для 16-20 кГц) |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 К/Вт |
| Диапазон температур | -40°C … +150°C |
| Встроенные диоды | Быстровосстанавливающиеся (FRD) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon (замена возможна с проверкой распиновки):

• FP75R12KE3 (более старая версия с аналогичными параметрами)
• FP75R12KT3 (близкий аналог, отличается технологией TrenchStop™)
• FP50R12KT4 (менее мощный, 50А)
• FP100R12KT4 (более мощный, 100А)

Аналоги от других производителей:

• Mitsubishi: CM75DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI75S-120
• Semikron: SKM75GB12T4

Примечания по замене:

• Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики в datasheet.
• Учитывайте разницу в тепловых параметрах и встроенных защитных схемах.

Где применяется?

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• ИБП и солнечные инверторы

Если нужен полный даташит или дополнительные аналоги – уточните!