IGBT FS10R06VE3B2BOMA1

Описание IGBT FS10R06VE3B2BOMA1

FS10R06VE3/B2BOMA1 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Infineon Technologies, предназначенный для применения в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями. Модуль объединяет IGBT-транзисторы с антипараллельными диодами, обеспечивая высокую эффективность и надежность в силовых электронных схемах.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 10 А (при 25°C) / 20 А (при 100°C, импульсный)
• Мощность рассеивания (P_tot): 75 Вт
• Ток короткого замыкания (I_SC): 40 А (макс.)
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 1,7 В (тип.) при I_C = 10 А
• Время переключения:
  • t_d(on): 16 нс
  • t_d(off): 120 нс

Тепловые параметры:

• Температурный диапазон: -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,75 К/Вт

Диодные характеристики (встроенный антипараллельный диод):

• Прямое напряжение (V_F): 1,4 В (тип.) при I_F = 10 А
• Время восстановления (t_rr): 70 нс

Управление:

• Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)): 4,5 В
• Рекомендуемое напряжение затвора (V_GE): ±20 В

Корпус:

• Тип корпуса: EasyPACK 2B (полупроводниковый модуль с изолированным основанием)
• Монтаж: винтовое крепление

Парт-номера и совместимые модели

Альтернативные номера Infineon:

• FS10R06VE3 (базовая версия)
• FS10R06VE3BOMA1 (уточненная маркировка)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Fuji Electric: 2MBI100U6A-060
• Mitsubishi Electric: CM100DY-24H
• SEMIKRON: SKM100GB063D

Заменяемые модули (аналоги по характеристикам):

• IRGB10B60PD1 (International Rectifier)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями (ЧП, сервоприводы)
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется уточнение по конкретному аналогу или условиям эксплуатации, укажите детали!