IGBT FS150R06KE3

Описание IGBT FS150R06KE3

FS150R06KE3 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным антипараллельным диодом, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как:

• Промышленные приводы
• Инверторы для электродвигателей
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Преобразователи частоты
• Сварочное оборудование

Модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие потери проводимости и переключения, а также хорошую тепловую стабильность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|--------------------------------|--------------|
| Максимальное напряжение (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток (I_C) | 150 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 300 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 500 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,85 В (при I_C = 150 А) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 320 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 °C/Вт |
| Диапазон рабочих температур | -40 °C ... +150 °C |
| Тип корпуса | 62 мм (EconoPACK™ 3) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (замены):

• FS150R06KE3G (новейшая версия с улучшенными характеристиками)
• FS150R06KE3B (модификация с другим корпусом)
• FS150R06KT3 (аналог с улучшенным теплоотводом)
• CM150DY-24NF (от Mitsubishi Electric, аналогичные параметры)

Совместимые модели (похожие по характеристикам):

• FF150R06KE3 (более высокая мощность)
• SKM150GB066D (от Semikron)
• MG150Q1US51 (от Toshiba)
• IXGH150N60B3 (от IXYS)

Примечания

• Перед заменой модуля на аналог следует проверить схему включения и параметры управления затвором.
• Для эффективного охлаждения рекомендуется использовать термопасту и радиатор с низким тепловым сопротивлением.

Если нужна дополнительная информация по заменам или схемам применения, уточните запрос!