IGBT FS20R06VE3

Описание IGBT FS20R06VE3

FS20R06VE3 — это IGBT-транзистор с интегрированным быстрым диодом, предназначенный для применения в силовой электронике. Модуль обеспечивает высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую термостабильность. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Тип устройства: IGBT + Диод (NPT-технология)
• Коллектор-эмиттерное напряжение (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 20 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 40 А (пиковый)
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 125 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 1,85 В (тип.)
• Время переключения (t_on/t_off): 55 нс / 110 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C ... +150°C
• Корпус: TO-247

Характеристики встроенного диода:

• Обратное напряжение (V_RRM): 600 В
• Прямой ток (I_F): 20 А

Парт-номера и совместимые модели

Аналогичные модели от Infineon:

• FS20R06W1E3 – аналогичный IGBT с улучшенными характеристиками
• FS20R06KE3 – предыдущая версия
• FS20R06VE3B – модификация с улучшенным охлаждением

Совместимые альтернативы от других производителей:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• STGW20NC60VD (STMicroelectronics)
• FGA20N60 (Fairchild/ON Semiconductor)

Применение

• Инверторы и преобразователи частоты
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если нужны уточнения по параметрам или замена на другие аналоги, укажите условия применения.