IGBT FS35R12KT3

Описание IGBT FS35R12KT3

FS35R12KT3 – это IGBT-транзистор с интегрированным ультрабыстрым диодом, предназначенный для высокоэффективных преобразователей энергии. Используется в инверторах, сварочных аппаратах, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C @ 25°C): 35 А
• Ток коллектора (I_C @ 100°C): 23 А
• Максимальный импульсный ток (I_CM): 70 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 200 Вт
• Температура перехода (T_j): -55°C до +150°C

Параметры IGBT:

• Напряжение насыщения (V_CE(sat) @ 25°C, I_C=35A): 2,1 В
• Время включения (t_d(on)): 30 нс
• Время выключения (t_d(off)): 160 нс

Параметры диода:

• Прямое напряжение (V_F @ I_F=35A): 1,7 В
• Время восстановления (t_rr): 120 нс

Корпус и монтаж:

• Корпус: TO-247
• Термосопротивление переход-корпус (R_thJC): 0,5 °C/Вт
• Термосопротивление переход-среда (R_thJA): 40 °C/Вт

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены от Infineon:

• FS35R12KE3 (аналог с другим вариантом корпуса)
• FS30R12KT3 (30А, 1200В, аналогичный корпус и характеристики)
• FS50R12KT3 (50А, 1200В, совместим в некоторых схемах)

Аналоги от других производителей:

• STGW35HF120WD (STMicroelectronics)
• IXGH35N120B3 (IXYS)
• APT35GF120J (Microsemi)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Промышленные системы управления двигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется более точная замена, рекомендуется проверять datasheet и параметры конкретной схемы.