IGBT FS35R12W1T4B11BOMA1

Описание IGBT FS35R12W1T4B11BOMA1

IGBT-модуль FS35R12W1T4B11BOMA1 производства Infineon Technologies предназначен для высокоэффективных силовых преобразовательных устройств, таких как инверторы, частотные приводы, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями. Модуль сочетает в себе IGBT-транзисторы с диодами обратного восстановления (FRD) в одном корпусе, обеспечивая высокую мощность и надежность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------|----------| | Тип модуля | IGBT + FRD (встроенный антипараллельный диод) | | Конфигурация | Полумост (Half-Bridge) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 35 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 70 А | | Мощность рассеяния (P_tot) | 250 Вт | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.85 В (тип.) | | Время включения/выключения (t_on/t_off) | 30 нс / 120 нс | | Температура эксплуатации | -40°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 °C/Вт | | Корпус | TrenchStop™ 4 (EASY1B) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги от Infineon:

• FS35R12W1T4 (базовая модель без дополнительного суффикса)
• FS35R12W1T4BOMA1 (вариант с улучшенными характеристиками)
• FS35R12W1T4_B11 (альтернативное обозначение)

Совместимые / аналогичные модели от других производителей:

• FGA35N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• CM75DY-12H (Mitsubishi)
• SKM75GB12T4 (Semikron)
• MG75Q1BS41 (Littelfuse)

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Системы электропривода
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Примечания

• Модуль имеет встроенную температурную защиту (NTC-термистор).
• Корпус EASY1B обеспечивает простой монтаж и эффективное охлаждение.
• Рекомендуется использовать с драйверами, поддерживающими TrenchStop™ технологию.

Если вам нужна дополнительная информация по заменам или схемам подключения, уточните область применения.