IGBT FS50R07U1E4

Описание IGBT FS50R07U1E4

FS50R07U1E4 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным быстрым диодом, разработанный для высокоэффективных силовых приложений. Модуль обладает низкими коммутационными потерями и высокой перегрузочной способностью, что делает его подходящим для:

• Преобразователей частоты
• Инверторов
• Промышленных приводов
• Систем возобновляемой энергетики (солнечные инверторы, ветрогенераторы)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод |
| Конфигурация | 2 в 1 (Half-Bridge) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 700 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 50 А |
| Импульсный ток (I_CP) | 100 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,7 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 25 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Диод: прямое падение напряжения (V_F) | 1,5 В |
| Диод: время восстановления (t_rr) | 65 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 К/Вт |
| Максимальная температура перехода (T_j) | 150°C |
| Корпус | EASY1B (изолированный) |
| Вес | ~60 г |

Парт-номера

Альтернативные или аналогичные обозначения:

• FS50R07U1E4_B11 (вариант с улучшенными характеристиками)
• FS50R07W1E3 (аналог с другим корпусом)
• FS50R06KE3 (более старая версия, 600 В)

Совместимые модели

Модули с аналогичными характеристиками (возможна замена с проверкой параметров):

• Infineon: FS50R06W1E3, FS50R12KE3, FS75R07W1E3 (более мощный)
• SEMIKRON: SKM50GB063D, SKM50GB12T4
• Mitsubishi: CM50DY-12H

Примечание

Перед заменой необходимо уточнять распиновку, тепловые и электрические параметры. Для точного подбора аналога рекомендуется использовать datasheet и консультацию с производителем.

Если требуется более детальная информация (например, графики вольт-амперных характеристик), можно обратиться к официальной документации Infineon.