IGBT FS50R12KE3

Описание IGBT FS50R12KE3

FS50R12KE3 — это IGBT-модуль от Infineon Technologies, предназначенный для высоковольтных и высокомощных приложений. Он объединяет в одном корпусе IGBT-транзисторы с обратными диодами, обеспечивая эффективное управление силовыми электронными системами.

Модуль используется в:

• Промышленных инверторах
• Сварочном оборудовании
• Электроприводах
• ИБП и преобразователях частоты

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Ток коллектора (I_C) | 75 А (при 80°C) | | Ток короткого замыкания (I_SC) | 100 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,85 В (тип.) | | Мощность потерь (P_tot) | 300 Вт | | Диапазон температур (T_j) | -40°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 К/Вт | | Корпус | модуль (Transistor Module) | | Тип переключения | Trench + Fieldstop (NPT) | | Встроенный диод | Да (антипараллельный) | | Вес | ~125 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FS50R12KE3G (новый вариант)
• Infineon: FS50R12KT3 (альтернатива с другим корпусом)
• SEMIKRON: SKM50GB12T4
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI50N-120

Совместимые модули (по характеристикам):

• FS35R12KE3 (35 А / 1200 В)
• FS75R12KE3 (75 А / 1200 В)
• FS50R12W1T3 (аналог с улучшенными характеристиками)

Примечание

При замене модуля на альтернативную модель необходимо учитывать:

• Рабочее напряжение и ток
• Тепловые параметры
• Распиновку и крепление

Данный модуль широко применяется в промышленности благодаря надежности и высокому КПД. Для точного подбора аналога рекомендуется проверять даташиты производителей.