IGBT FS50R12KE3BOSA1

Описание IGBT модуля FS50R12KE3BOSA1

Производитель: Infineon Technologies
Серия: EconoDUAL™ 3
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного восстановления (RB-IGBT)
Назначение: Применяется в мощных преобразователях частоты, инверторах, сварочном оборудовании, промышленных приводах и системах возобновляемой энергии.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток (I_C при 25°C): 50 А
• Пиковый ток (I_CM): 100 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 300 Вт
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 1,7 В (тип.)
• Время включения (t_on): 50 нс
• Время выключения (t_off): 200 нс

Диодные характеристики:

• Макс. обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 50 А

Тепловые параметры:

• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,25 К/Вт

Механические характеристики:

• Корпус: EconoDUAL™ 3 (17-контактный)
• Вес: ~130 г
• Монтаж: винтовое крепление

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon:

• FS50R12KE3 (базовая модель без "BOSA1")
• FS50R12KT3 (альтернатива с улучшенными динамическими характеристиками)
• FS75R12KE3 (75 А, аналогичный корпус)

Совместимые модели других производителей:

• Mitsubishi: CM50DY-12H
• SEMIKRON: SKM50GB12T4
• Fuji Electric: 2MBI50S-120

Примечания

• Модуль имеет встроенный температурный датчик (NTC) для контроля перегрева.
• Рекомендуется использовать с фирменными драйверами Infineon (например, 1ED020I12-F2).
• Перед заменой проверяйте распиновку, так как у аналогов могут быть различия.

Если вам нужна более детальная информация (например, графики зависимостей или рекомендации по охлаждению), уточните запрос.