IGBT FS75R12KE3_B9

Описание и технические характеристики IGBT FS75R12KE3_B9

Описание:
IGBT-модуль FS75R12KE3_B9 производства Infineon Technologies — это высоковольтный транзисторный модуль с обратным диодом, предназначенный для промышленных и силовых применений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, системах управления электродвигателями, сварочном оборудовании и источниках бесперебойного питания (ИБП).

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Производитель | Infineon Technologies | | Тип модуля | IGBT с обратным диодом (NPT Trench) | | Конфигурация | 2 в 1 (полумост) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 75 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 150 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 390 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (при 75 А) | | Время включения (t_on) | 50 нс | | Время выключения (t_off) | 300 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 К/Вт | | Диапазон рабочих температур (T_j) | от -40°C до +150°C | | Корпус | EconoPACK™ 3 (62 мм) | | Вес | ~130 г |

Парт-номера и совместимые модели

Альтернативные парт-номера:

• FS75R12KE3 (базовая версия без суффикса _B9)
• FS75R12KE3G (с улучшенными характеристиками)
• FS75R12KE3HOSA1 (версия для OEM-поставок)

Совместимые / аналогичные модули:

• Infineon: FS50R12KE3 (50 А), FS100R12KE3 (100 А)
• SEMIKRON: SKM75GB12T4
• Mitsubishi: CM75DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI75N-120

Примечания:

• Модуль требует качественного охлаждения (радиатор + термопаста).
• Рекомендуется использовать драйверы с изоляцией (например, 1ED020I12-F2 от Infineon).
• Перед заменой аналогами необходимо проверить распиновку и параметры.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните!