IGBT FS75R12KE3G

Описание IGBT модуля FS75R12KE3G

FS75R12KE3G – это IGBT-модуль с номинальным током 75 А и напряжением 1200 В, разработанный для применения в мощных инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями. Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, что делает его энергоэффективным решением для силовой электроники.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (DUAL) |
| Максимальное напряжение (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 75 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 150 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,85 В (при 75 А) |
| Скорость переключения | Высокая (оптимизирована для частот до 20 кГц) |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт |
| Корпус | EconoPACK™ 3 |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |
| Вес | ~100 г |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги от Infineon:

• FS75R12KE3 (предыдущая версия)
• FS75R12W2T4 (альтернатива с другими характеристиками)
• FS75R12KT3 (схожий модуль в том же корпусе)

Совместимые модели от других производителей:

• SEMIKRON – SKM75GB12T4
• Mitsubishi – CM75DY-12H
• Fuji Electric – 2MBI75S-120

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Модуль FS75R12KE3G отличается высокой надежностью и подходит для жестких условий эксплуатации. При замене аналогами рекомендуется учитывать электрические и тепловые параметры.

Если нужна спецификация по подключению или дополнительные данные – уточните!