IGBT FZ30R07W1E3B31ABOMA1

Описание и технические характеристики IGBT FZ30R07W1E3B31ABOMA1

Описание:
IGBT-модуль FZ30R07W1E3B31ABOMA1 производства Infineon Technologies предназначен для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, промышленных приводах, сварочных аппаратах и других силовых электронных системах. Модуль сочетает в себе IGBT-транзисторы с диодами обратного восстановления (FRD) в одном корпусе, обеспечивая высокую надежность и эффективность.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-----------------------------|-----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + FRD (диод обратного хода) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 700 В | | Ток коллектора (I_C) | 30 А (при 25°C) | | Ток коллектора (I_C) | 15 А (при 100°C) | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 60 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | до 125 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,7 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 40 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,45 К/Вт | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | EASY (интегрированный теплоотвод) | | Вес | ~30 г |

Парт-номера и совместимые модели:

Альтернативные парт-номера от Infineon:

• FZ30R07W1E3 (основная версия без дополнительных суффиксов)
• FZ30R07W1E3_B31 (вариант с улучшенными характеристиками)
• FZ30R07W1E3BOMA1 (версия с оптимизированными параметрами для промышленного применения)

Совместимые / аналогичные модели от других производителей:

• Mitsubishi Electric: CM30DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI30U7A-060
• SEMIKRON: SKM30GB063D
• ON Semiconductor: NGTB30N60FL2WG

Примечания:

• Модуль FZ30R07W1E3B31ABOMA1 часто используется в частотных преобразователях, системах управления двигателями и источниках питания.
• При замене на аналог необходимо учитывать напряжение, ток, тепловые параметры и тип корпуса.

Если нужны дополнительные данные (например, графики ВАХ, параметры диода), уточните!