IGBT g15n60

Описание IGBT G15N60

G15N60 — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Основные области использования:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Системы управления двигателями
• Сварочное оборудование
• Устройства плавного пуска

Этот IGBT сочетает в себе преимущества MOSFET (высокая скорость переключения) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии).

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 15 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 30 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 100 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 4–6 В |
| Время включения (t_on) | 30 нс (тип.) |
| Время выключения (t_off) | 150 нс (тип.) |
| Корпус | TO-220 (возможны модификации в TO-247) |
| Температурный диапазон | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PC50W (International Rectifier)
• FGA15N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW15NC60WD (STMicroelectronics)
• HGTG15N60A4D (Renesas)
• APT15GN60J (Microsemi)

Парт-номера в разных производителей:

• G15N60UFDTU (версия с быстрым восстановлением диода)
• G15N60R (модификация с пониженными потерями)
• G15N60SFD (корпус TO-247, повышенная мощность)

Примечания по совместимости

1. При замене важно учитывать:
   • Напряжение V_CES (не менее 600 В).
   • Ток I_C (рекомендуется брать с запасом 20–30%).
   • Скорость переключения (если критично для схемы).
2. Для TO-220 и TO-247 может потребоваться проверка монтажа (отвод тепла).
3. В схемах с высокой частотой лучше использовать модели с маркировкой "Fast" или "UltraFast".

Если нужна помощь в подборе аналога для конкретной схемы — уточните параметры системы!