IGBT G160N60

Описание IGBT G160N60

G160N60 — это изолированный затворный биполярный транзистор (IGBT), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования и промышленных приводов. Модуль обладает высокой устойчивостью к перегрузкам, низкими коммутационными потерями и высокой температурной стабильностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 160 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 80 А | | Импульсный ток (I_CM) | 320 А | | Мощность рассеяния (P_tot) | 600 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.2 В (при 160 А) | | Время включения (t_on) | 60 нс | | Время выключения (t_off) | 180 нс | | Корпус | TO-247 (или модуль в зависимости от производителя) | | Диапазон температур | -55°C ... +150°C | | Затворное напряжение (V_GE) | ±20 В |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA60N65SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N60B3 (Microsemi)
• STGW60H65DFB (STMicroelectronics)

Совместимые модели (похожие параметры):

• IXGH32N60B3D1 (IXYS)
• APT60GF60B2 (Microchip)
• MG160J1US51 (Toshiba)

Применение

• Силовые инверторы
• Сварочные аппараты
• Промышленные приводы
• Импульсные блоки питания
• Электромобильные преобразователи

Если вам нужен точный аналог, уточните производителя оригинального модуля (Infineon, Mitsubishi, Fuji и т. д.), так как параметры могут отличаться.